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產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
1200℃光學(xué)薄膜CVD氣相沉積設(shè)備是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。
迷你石墨烯CVD氣相沉積設(shè)備專為石墨烯生產(chǎn)設(shè)計配有高精度質(zhì)量流量計以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設(shè)備同時設(shè)備配有可燃氣體檢測裝置，聯(lián)動出氣口電磁閥，一旦出現(xiàn)泄漏電磁閥即可自行關(guān)閉保證**。
1200℃高真空迷你CVD氣相沉積設(shè)備核心是一款迷你管式爐，采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設(shè)備包含一臺三路浮子流量計，一臺分子泵組，分別構(gòu)成了CVD的進氣和出氣部分
晶圓級PECVD氣相沉積設(shè)備大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備包括三溫區(qū)管式爐，特殊設(shè)計的爐管及配套氣路一組，晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備通過特殊設(shè)計的管路，能夠?qū)⒎磻?yīng)氣體均勻的釋放于爐管。
R-PECVD?等離子增強CVD氣相沉積設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構(gòu)、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組部分構(gòu)成。R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設(shè)備利用旋轉(zhuǎn)和傾斜機構(gòu)實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，并且可以使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物。
三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
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