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雙靶磁控濺射鍍膜儀采用靶下置樣品臺在上方的布局。雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀(靶下置型)兩個靶位，直流射頻雙電源，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜。

帶偏壓雙靶磁控鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的小型實驗室用鍍膜儀，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點，鍍膜速率高，樣品溫升低，是典型的高速低溫濺射

本設(shè)備為分體式單靶磁控鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實驗室SEM樣品制備。

雙靶磁控濺射鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的小型實驗室用鍍膜儀，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等

本設(shè)備為桌面型單靶磁控鍍膜儀。設(shè)備經(jīng)過小型化設(shè)計，將設(shè)備外形限制在了桌面級別，大大減少了安裝場地需求。設(shè)備配有一個直流電源，能夠用于濺射金屬材料，具有速度快溫升低等特點。

該真空磁控濺射鍍膜機非常適合物理沉積 (PVD)、化學(xué)沉積 (CVD)、等離子體化學(xué)沉積 (PECVD)、熱噴涂、電子束濺射等多種鍍膜